研究者たちは、より優れた熱管理のために固体熱トランジスタを開発しました

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セルフアセンブリされた分子界面が熱移動の導管として機能し、電気場のオン/オフスイッチングによって原子間の熱抵抗を制御するための3つ目の端子ゲートから成るトランジスタ。

スイッチングスピードは1メガヘルツ、つまり1秒間に100万回を超えた。

研究者らはまた、熱伝導率の可変性が1300％を超え、100万回以上のスイッチングサイクルで信頼性のある性能を示した。

UCLAのポール・ワイスは、「これまで可能だったものに比べて、熱スイッチング効果の速度とサイズを桁違いに向上させることができました」と述べています。 UCLAサミュエリ工学部 記事全文を見る

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